Умножители частотыю схема. применение

Поэтому попытки раздельного анализа во временной и частотной областях подобно тому, как это сделано для параллельных и последовательных схем умножения на одиночных диодах, приводят к весьма значительным ошибкам. Таким образом, в n-области возникнет электрическое поле n (рисунок 5.1,б). Это поле вызовет в n-области дрейфовый ток электронов, направление которого противоположно диффузионному току. Накопление заряда сказывается на характере переходного процесса при переключении диода из открытого состояния в запертое после подачи на диод обратного напряжения. Поэтому обычно ограничиваются одним, реже — двумя холостыми контурами.

Для этого контур частотомера связывают с антенной цепью приёмника посредством включаемой в эту цепь катушки связи или приближением к магнитной антенне. При скачкообразном изменении напряжения с прямого на обратное в момент t = 0 (рисунок 5.2) концентрация ранее инжектированных неосновных носителей на границах перехода должна уменьшаться. Изменением ёмкости конденсатора С0 контур настраивают в резонанс с частотой fx по максимальным показаниям индикатора резонанса. При совместном использовании обеих шкал удаётся получить несколько тысяч отсчётных точек; соответствующие им частоты определяются с помощью таблиц или графиков. Аналоговые синтезаторы (Direct Analog Synthesizers) реализуются путём смешения отдельных базовых частот с их последующей фильтрацией.
Появились четные гармоники исходной частоты — т.е. частоты 200 Гц, 300 Гц и т.д. Мы уже умножили! Скачкообразным переходам рабочей точки соответствуют скачкообразные изменения напряжения в контуре. При целочисленном отношении частот f2:f1 = m, достигаемом изменением одной из них, кривая наблюдаемой окружности становится штриховой, она состоит из f неподвижных светящихся отрезков равной длины, разделённых тёмными промежутками. При совпадении сравниваемых частот биения пропадают и в телефонах слышен однообразный тон. Довольно часто при построении схем разнообразных генераторов и синтезаторов частот возникает необходимость в преобразовании сигналов одной частоты в сигналы большей частоты. Характер этой нелинейности зависит как от электрофизических характеристик и геометрических размеров полупроводниковой структуры, так и от внешних факторов, таких как амплитуда, частота входного сигнала и схема применения.

Похожие записи: